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    本發明係一種氣體阻隔性黏著板片，其特徵在於：其係分別至少具有1層氣體阻隔層及黏著劑層之氣體阻隔性黏著板片，上述黏著劑層在於23℃的儲存彈性模數在1.5×104~1.0×107Pa的範圍，且不具有基材層。根據本發明，無需大幅增加厚度，即可提供可容易地對被著體賦予氣體阻隔性，且即使在高溫．高濕條件下，於黏著劑層界面不會剝落，且耐彎曲性優良的氣體阻隔性黏著板片，該氣體阻隔性黏著板片之製造方法、以提供及仰得到上述氣體阻隔性黏著板片的電子元件與光學元件。
    公开号:TW201323563A
    申请号:TW101126899
    申请日:2012-07-26
    公开日:2013-06-16
    发明作者:淵惠美；劔持卓；永繩智史；永元公市
    申请人:琳得科股份有限公司；
    IPC主号:C09J7-00
    专利说明:
    氣體阻隔性黏著板片、其製造方法、以及電子元件與光學元件
    本發明係關於厚度薄，耐久性優良的氣體阻隔性黏著板片及其製造方法、以及包括上述氣體阻隔性黏著板片之電子元件與光學元件。
    液晶顯示器或電致發光(EL)顯示器等的顯示器的基板，為圖謀顯示器的薄型化、輕量化，研究使用透明塑膠薄膜。
    但是，一般塑膠膜，相較於玻璃板容易穿透水蒸氣或氧等，將透明塑膠薄膜使用於做為顯示器的基板，則有顯示器內部元件容易惡化之問題。
    為解決該問題，於專利文獻1，提案有在透明塑膠膜表面，以蒸鍍法和離子鍍法、濺鍍法等，層積金屬氧化物所組成之透明氣體阻隔層之軟性顯示器基板。
    但是，在於專利文獻1所記載的方法，會對塑膠基材施加過度的熱，而對塑膠基材的光學特性造成不良影響，而有降低透明性之情形。
    作為解決此之方法，可考慮使用具有氣體阻隔層之轉印用層積體的方法。例如，於專利文獻2記載有，對耐熱性支持體上形成硬塗層之後，於該硬塗層上形成氣體阻隔層得到轉印用層積體，接著，將高分子材料所組成的基材與上述轉印用層積體的氣體阻隔層經由接著劑接著，之後，藉由將上述耐熱性支持體剝離去除，得到於高分子材料所組成的基材上，層積氣體阻隔層、硬塗層之液晶顯示部件用塑膠基板的方法。
    此外，於專利文獻3，記載有對基底薄膜直接或經由脫模層，依序形成硬塗層、氣體阻隔層之至少1層及接著層之塑膠液晶面板用的轉印箔。此外，於該文獻，亦記載有藉由將該轉印箔以熱轉印的方式轉印至塑膠基板，製造塑膠液晶板的方法。
    但是，專利文獻2及3所記載的轉印用層積體，將轉印用層積體捲曲或彎曲，則有氣體阻隔層與接著劑層剝離，或於該等之間產生股起或浮起等之情形。此外，將印用層積體黏貼於塑膠基板等的被著體，將此置於高溫.高濕條件下，則有在接著劑層與被著體之界面產生浮起，轉印用層積體由被著體剝離之情形。[先行技術文獻]
    [專利文獻]
    [專利文獻1]日本特開2000-338901號公報
    [專利文獻2]日本特開平8-179291號公報
    [專利文獻3]日本特開平8-234181號公報
    本發明係有鑑於上述先前技術而完成者，以提供無須大幅增加厚度，可容易地對被著體賦予氣體阻隔性，且即使在高溫．高濕條件下，於黏著劑層界面不會剝落，且耐彎曲性優良的氣體阻隔性黏著板片，該氣體阻隔性黏著板片之製造方法、以提供及仰得到上述氣體阻隔性黏著板片的電子元件與光學元件為目標。
    本發明者們專心研究關於具有氣體阻隔層與黏著劑層的氣體阻隔性黏著板片。結果，發現，藉由將黏著劑層的儲存彈性模數規定於特定範圍，即使不具有基材層(即，無須大幅度增加厚度)，即可得到氣體阻隔性、耐彎曲性、耐熱性以及耐濕性均優良的氣體阻隔性黏著板片，而達至完成本發明。
    因此，根據本發明的第1，可提供下述(1)~(5)之氣體阻隔性黏著板片。
    (1)一種氣體阻隔性黏著板片，分別至少具有1層氣體阻隔層及黏著劑層，其特徵在於：上述黏著劑層在於23℃的儲存彈性模數在1.5×104~1.0×107Pa的範圍，且不具有基材層。
    (2)如(1)所述的氣體阻隔性黏著板片，其中在40℃、相對濕度90%的大氣下的水蒸氣穿透率為0.1g/m2/day以下。
    (3)如(1)所述的氣體阻隔性黏著板片，其中上述黏著劑層在於80℃的儲存彈性模數在8.0×103~1.0×106Pa的範圍。
    (4)如(1)所述的氣體阻隔性黏著板片，其中實質性的厚度為0.5μm以上50μm以下。
    (5)如(1)所述的氣體阻隔性黏著板片，其中上述黏著劑層係由包含矽烷偶合劑或烷氧基金屬化合物之黏著劑所形成。
    (6)如(1)所述的氣體阻隔性黏著板片，其中進一步具有保護層。
    (7)如(1)所述的氣體阻隔性黏著板片，其中進一步具有剝離板片。
    (8)如(1)所述的氣體阻隔性黏著板片，其係電子元件用或光學元件用的黏著板片。
    根據本發明的第2，可提供下述(9)或(10)之氣體阻隔性黏著板片之製造方法。
    (9)一種(1)~(8)中任一項所述的氣體阻隔性黏著板片之製造方法，其包含：於剝離板片之具有剝離性的面上，形成黏著劑層或氣體阻隔層的步驟。
    (10)一種(1)~(8)中任一項所述的氣體阻隔性黏著板片之製造方法，其包含以下的步驟1~3：步驟1：於第1剝離板片之具有剝離性的面上，形成氣體阻隔層，得到附有氣體阻隔層之剝離板片之步驟；步驟2：第2剝離板片之具有剝離性的面上，形成黏著劑層，得到附有黏著劑層之剝離板片之步驟；步驟3：將上述附有氣體阻隔層之剝離板片，與上述附有黏著劑層之剝離板片相對黏合之步驟。
    根據本發明的第3，可提供下述(11)之電子元件或光學元件。
    (11)一種電子元件或光學元件，其包括上述(1)~(8)中任一項所述的氣體阻隔性黏著板片。
    本發明之氣體阻隔性黏著板片，由於係氣體阻隔性優良者，無須大幅地增加厚度，即可容易地對被著體賦予氣體阻隔性。
    此外，本發明之氣體阻隔性黏著板片，由於耐久性(耐彎曲性、耐熱性及耐濕性)優良，故捲曲或彎曲時，或置於高溫．高濕條件下時，不容易在黏著劑層與其他層的界面剝離，此外，亦不容易發生鼓起或浮起等。
    根據本發明之氣體阻隔性黏著板片之製造方法，可有效地製造本發明之氣體阻隔性黏著板片。
    本發明之電子元件與光學元件，由於係使用本發明之氣體阻隔性黏著板片，具有優良的氣體阻隔性，且為輕量而薄型化者。
    此外，由於即使捲曲或彎曲時，或置於高溫．高濕條件下時，氣體阻隔性不容易下降，故部件不容易劣化。
    以下，將本發明，分項為1)氣體阻隔性黏著板片、2)氣體阻隔性黏著板片之製造方法、及3)包括氣體阻隔性黏著板片之電子元件或光學元件，詳細說明。
    1)氣體阻隔性黏著板片
    本發明之氣體阻隔性黏著板片，其特徵在於：其係分別至少具有1層氣體阻隔層及黏著劑層之氣體阻隔性黏著板片，上述黏著劑層在23℃的儲存彈性模數在1.5×104~1.0×107Pa的範圍，且不具有基材層。
    再者，在於本說明書，「板片」不僅是長方狀者，亦包含長條狀(帶狀)者。
    (氣體阻隔層)
    本發明之氣體阻隔性黏著板片的氣體阻隔層，係具有抑制氧或水蒸氣的穿透之特性(以下，亦稱為「氣體阻隔性」)之層。
    本發明之氣體阻隔性黏著板片的氣體阻隔層的水蒸氣穿透率，於40℃、相對濕度90%的氣氛下，通常為1.0g/m2/day以下，以0.8g/m2/day以下為佳，以0.5g/m2/day以下更佳，進一步以0.1g/m2/day以下為佳。在於本發明，氣體阻隔層的水蒸氣穿透率，實質上，作為黏著性板片的水蒸氣穿透率之值。黏著性板片的水蒸氣穿透率，可使用習知的氣體穿透率測定裝置測定。具體而言，可以實施例所述的方法測定。
    氣體阻隔層的厚度，由氣體阻隔性與操作性的觀點，通常，以10~2000nm為佳，以20~1000nm更佳30~500nm，進一步以40~200nm的範圍為佳。
    氣體阻隔層，只要具有氣體阻隔性，材質等並無特別限制。可舉例如，由無機蒸鍍膜所組成的氣體阻隔層；包含氣體阻隔性樹脂之氣體阻隔層；對包含高分子化合物之層植入離子而得之氣體阻隔層等。
    該等之中，以可有效地形成薄，且氣體阻隔性優良的層，以無機蒸鍍膜所組成的氣體阻隔層、對包含高分子化合物之層植入離子而得之氣體阻隔層為佳。
    無機蒸鍍膜，可舉無機化合物或金屬的蒸鍍膜。
    無機化合物的蒸鍍膜的原料，可舉氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等的無機氧化物；氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等的無機氮化物；無機碳化物；無機硫化物；氧化氮化矽等的無機氧化氮化物；無機氧化碳化物；無機氮化碳化物；無機氧化氮化碳化物等。
    金屬的蒸鍍膜的原料，可舉鋁、鎂、鋅及錫等。
    該等可以一種單獨，或組合二種以上使用。
    該等之中，由氣體阻隔性的點，以無機氧化物、無機氮化物或金屬作為原料之無機蒸鍍膜為佳，再者，由透明性的點，以無機氧化物或無機氧化氮化物作為原料的無機蒸鍍膜為佳。此外，無機蒸鍍膜，可以單層，亦可為多層。
    無機蒸鍍膜的厚度，由氣體阻隔性與操作性的觀點，以10~2000nm為佳，以20~1000nm更佳，以30~500nm更佳，進一步以40~200 nm的範圍為佳。
    形成無機蒸鍍膜的方法，可舉例如，真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等的PVD法，及熱CVD法、電漿CVD法、光CVD法等的CVD法。
    上述氣體阻隔性樹脂，可舉例如，聚乙烯醇、或其部分皂化物、乙烯-乙烯基醇共聚物、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚偏氯乙稀、聚氯三氟乙烯等的，不容易使氧或水蒸氣穿透的樹脂。
    包含氣體阻隔性樹脂的氣體障礙層的厚度，由氣體阻隔性的觀點，以10~2000nm為佳，以20~1000nm更佳，以30~500nm更佳，進一步以40~200nm的範圍為佳。
    形成包含氣體阻隔性樹脂之氣體阻隔層的方法，可舉將包含氣體阻隔性樹脂之溶液塗佈於既定的層上，將所得塗膜適宜乾燥之方法。
    樹脂溶液的塗佈方法，並無特別限定、是旋轉塗佈法、噴灑塗佈法、棒塗佈法、刀塗佈法、輥塗法、刮刀塗佈法、模具塗佈法、凹版塗佈法等的習知的塗佈方法。
    塗膜的乾燥方法，可使用熱風乾燥、熱輥乾燥，紅外線照射等，習知的乾燥方法。
    在於對包含高分子化合物之層植入離子所得之氣體阻隔層，使用的高分子化合物，可舉例如，矽系高分子化合物、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚丙烯酸酯、丙烯酸系樹脂、環烯烴系高分子、芳香族系聚合物，及該等高分子的二種以上的組合等。該等之中，以矽系高分子化合物為佳。
    包含矽系高分子化合物之層，可舉使用聚矽氮烷化合物、聚碳矽烷化合物、聚矽烷化合物及聚有機矽氧烷化合物等所得之層(參照日本特開平10-245436號公報、日本特表2003-514822號公報、日本特開2005-36089號公報、日本特開2008-63586號公報、日本特開2009-235358號公報、日本特開2009-286891號公報、日本特開2010-106100號公報、日本特開2010-229445號公報、日本特開2010-232569號公報、日本特開2010-238736號公報等)。
    包含高分子化合物之層，可按照原料，以與由上述無機蒸鍍膜所組成的氣體阻隔層或包含氣體阻隔性樹脂之氣體阻隔層之形成方法相同的方法形成。
    包含高分子化合物之層的厚度，由氣體阻隔性與操作性的觀點，以10~2000nm為佳，以20~1000nm更佳，以30~500nm更佳，進一步以40~200nm的範圍為佳。
    植入包含高分子化合物之層的離子，可舉氬、氦、氖、氪、氙等的稀有氣體的離子；氟碳化合物、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子；金、銀、銅、鉑、鎳、鈀、鉻、鈦、鉬、鈮、鉭、鎢、鋁等的金屬的離子。
    該等之中，由可簡便地植入，可得優良的氣體阻隔性與透明性之氣體阻隔層，以選自由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙及氪所組成的群之至少一種離子為佳。
    離子的植入量與植入離子的部分的厚度，可考慮氣體阻隔層的厚度、氣體阻隔性黏著板片的使用目的等適宜決定。
    離子植入的部分的厚度，通常，由植入離子的表面為10~1000nm，以10~200nm為佳。其厚度，可藉由離子的種類或施加電壓、處理時間等的植入條件控制。
    植入離子的方法，可舉照射藉由電場加速的離子(離子束)的方法，將電漿中的離子植入的方法(電漿離子植入法)。其中，在於本發明，由可簡便地得到具有優良的氣體阻隔性等的氣體阻隔性黏著板片，以電漿離子植入法為佳。
    電漿離子植入法，可例如，藉由餘包含電漿生成氣體的氣氛下產生電漿，對包含高分子化合物之層施加的負的高電壓脈衝，將該電漿中的離子(陽離子)，植入包含高分子化合物之層之表面部而進行。
    (黏著劑層)
    在於本發明之氣體阻隔性黏著板片之黏著劑層在於23℃的儲存彈性模數在1.5×104~1.0×107Pa的範圍，以5.0×104~1.0×107Pa為佳，以6.0×104~1.0×106Pa的範圍更佳。
    黏著劑層在於23℃的儲存彈性模數未滿上述範圍的下限值時，黏著力低，耐彎曲性、耐熱性、耐濕性有降低之虞。因此，將氣體阻隔性黏著板片或包括此之電子元件或光學元件，捲曲或彎曲時，容易在黏著劑層與其他層的界面剝離。
    另一方面，黏著劑層在於23℃的儲存彈性模數超過上述範圍的上限值，則黏著劑層的黏著性，有無法顯現黏著力之虞。因此，難以將氣體阻隔性黏著板片黏貼於被著體。此外，將氣體阻隔性黏著板片，捲曲或彎曲時，於黏著劑層發生龜裂，而耐彎曲性會降低。
    此外，黏著劑層在於80℃的儲存彈性模數，以8.0×103~1.0×106Pa為佳，以1.0×104~8.0×105Pa更佳，進一步以2.0×104~5.0×105Pa的範圍為佳。
    黏著劑層在於80℃的儲存彈性模數在上述範圍內，則將氣體阻隔性黏著板片，及包括此之電子元件和光學元件，置於高溫．高濕條件下等時，可防止黏著劑層的界面的剝離。
    黏著劑層的儲存彈性模數，係遵照JIS K7244，使用動態黏彈性測定裝置，由扭轉剪力法，以頻率1Hz測定之值。
    黏著劑層的厚度，可考慮氣體阻隔性黏著板片的使用目的等能適宜選定。其厚度通常為0.1~1000μm，以0.5~500μm為佳，以1~100μm更佳，進一步以1~10μm為佳。
    只要在0.1μm以上，則可得到具有充分的黏著能力的氣體阻隔性黏著板片。
    只要在1000μm以下，則氣體阻隔性黏著板片的彎曲性良好，此外，在生產性或操作性的點有利。
    包含於黏著劑之高分子成分的玻璃轉移溫度(Tg)，以-50~+10℃的範圍為佳，以-40~+10℃的範圍更佳，進一步以以-10~0℃的範圍為佳。
    只要上述高分子成分的玻璃轉移溫度在於上述範圍內，則由於容易得到在常溫具有黏著性之黏著劑層，故可將氣體阻隔性黏著板片以常溫附近的溫度容易黏貼於被著體。因此，將氣體阻隔性黏著板片黏著時無須加熱，可消除因加熱，而使電子元件或光學元件的透明性下降，或被著體發生彎曲等的問題。
    包含於黏著劑的高分子成分的質量平均分子量(Mw)，通常為100,000~3,000,000，以200,000~2,000,000為佳，以500,000~2,000,000的範圍更佳。
    質量平均分子量(Mw)在於該範圍，則可容易地得到，黏著力與凝聚力的平衡優良，且可邊保持柔軟性，對被著體具有充分的錨定效果的黏著劑層。因此，可得耐久性(耐彎曲性、耐熱性、耐濕性)，及與被著體之密著性良好的氣體阻隔性黏著板片。
    包含於黏著劑之高分子成分的分子量分佈(Mw/Mn)，以1.0~5.0為佳，以2.0~4.5的範圍更佳。
    分子量分佈，在於上述範圍的上限值以下，則低分子量成分變少，而可得耐彎曲性或耐高溫濕熱性更優良的氣體阻隔性板片。
    再者，上述質量平均分子量(Mw)及分子量分佈(Mw/Mn)，係以凝膠滲透層析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算值。
    包含於黏著劑之高分子成分，只要可形成目標的黏著劑層，並無特別限制。如此之包含高分子成分之黏著劑，可舉例如，丙烯酸酯系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚氨酯系黏著劑、矽酮系黏著劑等的習知的黏著劑。其中，由黏著力、操作性之點，以丙烯酸酯系黏著劑為佳。
    丙烯酸酯系黏著劑，可舉以(甲基)丙烯酸酯系(共)聚合物為主成分者。
    (甲基)丙烯酸系(共)聚合物，可舉(甲基)丙烯酸酯單獨聚合物，包含2種以上的(甲基)丙烯酸酯單位之共聚物、及(甲基)丙烯酸酯與其他的單體之共聚物。
    (甲基)丙烯酸酯共聚物的共聚合形態，並無特別限制，以隨機、嵌段、接枝共聚物均可。
    該等(甲基)丙烯酸酯系(共)聚合物，可以一種單獨，或組合二種以上使用。
    再者，所謂「(甲基)丙烯酸」，係表示丙烯酸或甲基丙烯酸，所謂「(共)聚合物」，係表示單獨聚合物或共聚物。
    使用於合成(甲基)丙烯酸酯系(共)聚合物時之丙烯酸酯系單體，可舉烷基的碳數1~20之(甲基)丙烯酸烷酯。
    具體例，可舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。
    用於合成(甲基)丙烯酸酯與其他的單體的共聚物時之其他的單體，可舉具有羥基、羧基、胺基等的架橋性官能基的單體；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等的乙烯酯類；乙烯、丙烯、異丁烯等的烯烴類；氯乙烯、偏氯乙烯等的鹵化烯烴類；丁二烯、異戊二烯、氯丁二烯等的二烯類；丙烯腈、甲基丙烯腈等的腈系單體；丙烯醯胺、N-甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺等的丙烯醯胺類等。
    具有上述架橋性官能基的單體，可舉例如，(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；(甲基)丙烯酸單甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸單乙基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸單甲基胺基丙酯、(甲基)丙烯酸單乙基胺基丙酯等的(甲基)丙烯酸單烷基胺基烷基酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、衣康酸、檸康酸等的乙烯性不飽和羧酸等。
    該等可以一種單獨，亦可組合兩種以上使用。
    (甲基)丙烯酸酯系(共)聚物中的來自其他單體之反覆單位的含量，對全反覆單位，以0.01~10質量%為佳，以0.05~7.0質量%的範圍更佳。
    藉由單體單位的含量在0.01質量%以上，可藉由與後述之架橋劑之反應，充分地架橋，可得耐久性更優良的黏著劑層。另一方面，10質量%以下，則由於架橋度不會過高，而可得對被著體具有充分的黏著適性之黏著劑層。
    (甲基)丙烯酸酯系(共)聚合物，可以溶液聚合法、乳化聚合法、懸浮聚合法等習知的聚合方法而得。
    黏著劑成分，使用具有架橋性官能基之(甲基)丙烯酸酯系(共)聚合物時，亦可並用架橋劑。
    架橋劑，可舉甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等，或三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯等的該等的加成物等的異氰酸酯系架橋劑；乙二醇縮水甘油醚等的環氧系架橋劑；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基〕三磷三嗪等的氮丙啶系架橋劑；鋁螯合物等的螯合物系架橋劑等。
    該等可以一種單獨，或亦可組合兩種以上使用。
    架橋劑的使用量，對(甲基)丙烯酸酯系(共)聚合物100質量部，通常為0.01~10質量部，以0.05~5是質量部為佳。
    橡膠系黏著劑，可舉天然橡膠、使天然橡膠與選自由(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯、(甲基)丙烯腈之1種或2種以上的單體接枝聚合之變性天然橡膠系黏著劑；異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、丙烯腈-丁二烯橡膠、甲基丙烯酸甲酯-丁二烯橡膠、氨酯橡膠、聚異丁烯系樹脂、聚丁烯樹脂等所組成的橡膠系黏著劑等。該等之中，以聚異丁烯系樹脂為佳。
    矽酮系黏著劑，可舉以二甲基矽氧烷為主要成分者。
    用於本發明之黏著劑，亦可含有活性能量線硬化型化合物。藉由含有活性能量線硬化型化合物，在於高溫(80℃)的黏著劑層的儲存彈性模數不容易降低，將氣體阻隔性黏著板片或包括此之電子元件或光學元件置於高溫或高濕條件下時，可更有效地，預防黏著劑層的界面剝離。
    活性能量線硬化型化合物，可舉多官能(甲基)丙烯酸酯系單體，或活性能量線硬化型的丙烯酸酯系寡聚物、側鏈導入具有(甲基)丙烯醯基之基之加成物丙烯酸酯系聚合物等。
    該等可以一種單獨，或組合二種以上使用。
    多官能(甲基)丙烯酸酯系單體，可舉例如1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇己二酸酯二(甲基)丙烯酸酯、羥基新戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊二烯二(甲基)丙烯酸酯、己內酯變性二環戊烯二(甲基)丙烯酸酯、乙烯氧化物變性磷酸二(甲基)丙烯酸酯、二(丙烯醯氧乙基)異氰酸酯、烯丙基化環己基二(甲基)丙烯酸酯等的2官能型；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二異戊四醇基三(甲基)丙烯酸酯、丙烯氧化物變性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、異戊四醇基三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷變性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(丙烯醯氧乙基)異氰酸酯等的3官能型；二甘油四(甲基)丙烯酸酯、異戊四醇基四(甲基)丙烯酸酯等的4官能型；丙酸變性二異戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等的5官能型；二異戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯變性二異戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等的6官能型等。
    該等可以一種單獨，或亦可組合兩種以上使用。
    該等之中，以於分子內具有環狀構造者為佳。環狀構造，可為碳環構造，亦可為雜環構造，此外，以單環構造或多環式構造均可。
    於分子內具有環狀構造的多官能(甲基)丙烯酸酯系單體，可舉二(丙烯醯氧乙基)異氰尿酸酯、三(丙烯醯氧乙基)異氰尿酸酯等具有異氰尿酸酯構造者；二羥甲基二環戊烷二丙烯酸酯；乙烯氧化物變性六氫鄰苯二甲酸二丙烯酸酯；三環癸烷二甲醇丙烯酸酯；新戊二醇變性三羥甲基丙烷二丙烯酸酯；金剛烷二丙烯酸酯等。
    上述多官能(甲基)丙烯酸酯系單體的分子量，以1000以下為佳。
    活性能量線硬化型的丙烯酸系寡聚物，可舉聚酯丙烯酸酯寡聚物、環氧基丙烯酸酯系寡聚物、尿烷丙烯酸酯系寡聚物、多醇丙烯酸酯系寡聚物、聚丁二烯丙烯酸酯系寡聚物、矽酮丙烯酸酯系寡聚物等。
    聚脂丙烯酸酯系寡聚物，可舉將由多元羧酸及多元醇的縮合而得於兩末端具有羥基之聚酯寡聚物的羥基，以(甲基)丙烯酸酯化，或者將對多元羧酸加成亞烷基氧化物而得之寡聚物的末端羥基，以(甲基)丙烯酸酯化而得之化合物等。
    環氧丙烯酸酯系寡聚物，可舉使相對較低分子量的雙酚型環氧樹脂或酚醛型環氧樹脂之環氧乙烷環，與(甲基)丙烯酸反應酯化而得之化合物等。
    此外，亦可使用將該環氧丙烯酸酯系寡聚物部分以二元性羧酸酐變性之羧基變性型之環氧基丙烯酸酯寡聚物。
    尿烷丙烯酸酯系寡聚物，可舉將聚醚多醇或聚酯多醇與聚異氰酸酯之反應而得之聚氨酯寡聚物，以(甲基)丙烯酸酯化而得之化合物。
    多元醇丙烯酸酯系寡聚物，可舉將聚醚多元醇的羥基，以(甲基)丙烯酸酯化而得之化合物。
    聚丁二烯丙烯酸酯系寡聚物，可舉於聚丁二烯寡聚物的末端或側鏈具有丙烯酸酯基的丙烯酸酯系寡聚物。
    矽酮系丙烯酸酯系寡聚物，可舉於主鏈具有聚矽氧烷鍵結之丙烯酸酯系寡聚物。
    該等丙烯酸酯系寡聚物，可以一種單獨，或組合二種以上使用。
    上述丙烯酸酯系寡聚物之質量平均分子量(Mw)，以50,000以下為佳，以500~50,000更佳，進一步以3,000~40,000範圍為佳。質量平均分子量(Mw)，係以凝膠滲透層析(GPC)法測定之聚苯乙烯換算值。
    於側鏈導入(甲基)丙烯醯基之加成物丙烯酸酯系聚合物，可使用於上述丙烯酸酯系(共)在聚合物所說明之(甲基)丙烯酸酯，與於分子內具有架橋性官能基的單體之共聚物，對該共聚物的架橋性官能基的一部分，使具有可與(甲基)丙烯醯基及架橋性官能基反應之基的化合物反應而得。
    如此之加成物丙烯酸酯系聚合物的質量平均分子量(Mw)，以100,000-2,000,000的範圍為佳，質量平均分子量(Mw)，係以凝膠滲透層析(GPC)法測定之聚苯乙烯換算值。
    樹脂成分，與活性能量線硬化型化合物的含有比例，以質量比(樹脂成分：活性能量線硬化型化合物)，以100：1~100：100為佳，以100：5-100：50更佳，進一步以100：10~100：20的範圍為佳。
    此外，在於活性能量線硬化型化合物的黏著劑，亦可根據所期望含有光聚合起始劑。
    光聚合起始劑，可舉例如安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香正丁醚、安息香異丁醚、苯乙酮、二甲基胺基苯乙酮2,2-二甲氧基2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、1-羥基環己基苯酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉基-丙-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-2-(羥基-2-丙基)酮、二苯酮、對苯基二苯酮、4,4’-二乙基胺基二苯酮、二氯二苯酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-胺基蒽醌、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、苄基二甲基縮酮、苯乙酮二甲基縮酮、對二甲基胺基安息香酸酯、寡聚[2-羥基-2-甲基-1[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]，2,4,6-三甲基安息香-二苯基氧化膦等。
    該等，可以一種單獨，或組合2種以上使用。
    光聚合起始劑的調合量，對上述活性能量線硬化型化合物100質量部，通常為0.2~20質量部的範圍。
    照射之活性能量線，可舉紫外線或電子線等，以紫外線為佳。
    照射紫外線時，可使用高壓水銀燈、無電極燈、氙燈等。照射量，通常，以照度50~1000mW/cm2、光量50~3000mJ/cm2的範圍。
    照射時間，通常為0.1~1000秒，以1~500秒為佳，進一步以10~100秒為佳。考慮紫外線照射步驟的熱負荷，為滿足上述光量，亦可照射複數次。
    照射電子線時，可使用電子線加速器等。照射量，通常為10~1000krad的範圍。
    照射時間，通常為0.1~1000秒，以1~500秒為佳，進一步以10~100秒為佳。
    再者，使用電子線時，無需添加光聚合起始劑，即可形成黏著劑層。
    用於本發明之黏著劑，亦可含有矽烷偶合劑或烷氧基金屬化合物等。
    藉由含有矽烷耦合劑或烷氧基金屬化合物，特別是在使用含有矽的化合物作為氣體阻隔層之材料時，被著體為玻璃表面時，可使黏著劑層與氣體阻隔層之間、黏著劑層與被著體之間的密著性更佳。
    矽烷偶合劑，可舉乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷等的含有聚合性不飽和基之矽化合物；3-縮水甘油基丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷等的具有環氧構造之矽化合物；3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷等的含有胺基之矽化合物；3-氯丙基三甲氧基矽烷等。
    烷氧基金屬化合物，可舉鈦酸系偶合劑、鋁酸系偶合劑、鋯系偶合劑等。
    該等可以一種單獨，或組合二種以上使用。
    矽烷偶合劑或烷氧基金屬化合物的添加量，對黏著劑的固形份100質量部，以0.001~10質量部的範圍為佳，以0.005~5質量部的範圍更佳。
    用於本發明之黏著劑，亦可進一步含有各種添加劑。添加劑，可舉例如，光安定劑、氧化防止劑、黏著賦予劑、可塑劑、紫外線吸收劑、著色劑、樹脂穩定劑、充填劑、顏料、增量劑、帶電防止劑等。
    形成黏著劑層的方法，並無特別限制，可採用習知的方法。
    例如，將黏著劑，及根據所期望，包含溶劑等之黏著劑層形成用溶液，以習知的塗層方法塗佈，將所得塗膜乾燥，按照必要加熱或照射活性能量線而形成之方法。
    塗佈及乾燥的方法，可採用於氣體阻隔層之形成方法中所列舉的方法。
    (氣體阻隔性黏著板片)
    本發明的氣體阻隔性黏著板片，其特徵在於：其係分別至少具有1層氣體阻隔層及黏著劑層，黏著劑層在於23℃的儲存彈性模數在1.5×104~1.0×107Pa的範圍，且不具有基材層。
    在於本發明，所謂「基材層」，係指將氣體阻隔層與黏著劑層等層積，賦予支特性的薄膜狀材料。具體而言，厚度為10μm以上的紙或塑膠薄膜(要件1)，或在於23℃的引張彈性模數在200~5000MPa的塑膠薄膜(要件2)等，基材層可以單層的狀態操作，可成為氣體阻隔層及黏著劑層等的支持體之層。
    在此，所謂「不具有基材層」，係指構成氣體體阻隔性黏著板片之層(惟，去除剝離板片)，均不滿足上述要件1及要件2之意思。此外，後述之「其他的層」，並不包含於「基材層」。
    所謂「不具有基材層」，更具體而言，係指在於使用狀態，於氣體阻隔性黏著板片中不包含基材層。例如，氣體阻隔性黏著板片，具有後述之剝離板片時，將氣體阻隔性黏著板片黏貼於被著體的狀態(使用狀態)，由於剝離板片會被剝離，故僅於剝離板片之中包含基材層的氣體阻隔性黏著板片，符合「不具有基材層的氣體阻隔性黏著板片」。
    再者，在於23℃之拉張彈性模數，可以習知的方法測定。
    此外，本發明的氣體阻隔性黏著板片，由氣體阻隔性黏著板片的操作性的觀點，實質厚度以0.5nm以上50μm以下為佳，以1~40μm的範圍為佳，以1~30μm的範圍更佳，進一步以1~10μm的範圍以為佳。
    再者，所謂「實質厚度」係指，在於使用狀態的厚度。即，本發明之氣體阻隔性黏著板片，可如後所述，直到黏貼於被著體之前可具有剝離板片等，而在於黏貼前去除的部分(剝離板片等)的厚度，並不包含於「實質厚度」。
    氣體阻隔性黏著板片的「實質厚度」，可使用習知的測定裝置測定，例如，可使用實施例所記載的裝置測定。
    氣體阻隔性黏著板片具有剝離板片時，測定附有剝離板片的氣體阻隔性黏著板片的厚度，之後，將剝離板片剝離測定該剝離板片的厚度，由附有剝離板片的氣體阻隔性黏著板片的厚度扣除剝離板片的厚度，可算出氣體阻隔性黏著板片的「實質厚度」。
    本發明之氣體阻隔性黏著板片，於氣體阻隔層及黏著劑層之外，亦可具有保護層、導電體層等的其他的層。所謂「其他的層」，係於使用狀態，不會被去除而原樣殘存於氣體阻隔性黏著片中(即，包含於氣體阻隔性黏著板片)，係對本發明之氣體阻隔性黏著板片賦予各種性能者。因此，其他的層，並不包含於「基材層」。
    (保護層)
    本發明之氣體阻隔性黏著板片，亦可具有保護層。保護層，係由外部加入衝擊時，具有保護氣體阻隔層之作用之層。
    層積保護層的位置，並無特別限定，以鄰接層積於氣體阻隔層為佳。
    保護層，以透明性佳，耐擦傷性良好者為佳。此外，組入電子裝置或光學裝置時，將保護層配置於最表面時，以包括防污性、耐指紋附著防止性、帶電防止性、防水性、親水性等的功能為佳。
    保護層的厚度，可考慮氣體阻隔性黏著板片的使用目的等適宜選擇。其厚度，通常為0.05~10μm，以0.1~8.0μm為佳，以0.2~5.0μm更佳，進一步以0.2~1.0μm為佳。
    只要是0.05μm以上，可使耐擦傷性充分。只要在10μm以下，不容易在硬化時因扭曲而發生捲曲。
    保護層的表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)，以10.0nm以下為佳，以8.0nm以下更佳。此外，表面粗糙度Rt(最大剖面高度)，以100nm以下為佳，以50nm以下更佳。
    表面粗糙度Ra及Rt，分別超過10.0nm、100nm，則氣體阻隔層及黏著劑層的表面粗糙度變大，而有使氣體阻隔性黏著板片的氣體阻隔性降低之虞。
    再者，表面粗糙度Ra及Rt，係使用100μm(的樣品，藉由光干涉法所得之值。
    保護層的材料並無特別限制，可使用習知者。例如，含有矽的化合物；由光聚合性單體及/或光聚合性預聚合物所組成之光聚合性化合物、及至少可以可見光區域的光產生自由基之聚合起始劑之聚合性化合物；聚酯系樹脂、聚氨酯系樹脂(特別是聚丙烯酸多醇酯、聚酯多醇、聚醚多醇等與異氰酸酯化合物之2液硬化型樹脂)、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、氯乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯基丁內酯系樹脂、硝化纖維素系樹脂等的樹脂類；烷基鈦酸；亞乙基醯亞胺等。
    該等可以一種單獨，或組合二種以上使用。
    其中，保護層的材料，由透明性或耐擦傷性優良之點，以由光聚合性單體及/或光聚合性預聚合物所組成之光聚合性化合物、及至少可以可見光區域的光產生自由基之聚合起始劑之聚合性化合物為佳
    光聚合性化合物以及聚合起始劑，可使用於黏著劑之項所例示之活性能量線硬化型化合物及光聚合起始劑等。
    保護層，係將上述材料以適當的溶劑溶解或分散而成之保護層形成用溶液塗佈，將所得塗膜乾燥，根據所期望，藉由加熱或光照射而可形成。
    塗佈及乾燥的方法，可使用於氣體阻隔層的形成方法中所列舉的方法。
    (導電體層)
    本發明之氣體阻隔性黏著板片，亦可具有導電體層。導電體層，係具有導電性之層、在於電子元件等，利用於作為電極，或帶電防止性及提升放熱性等而設之層。
    層積導電體層的位置，可按照本發明之氣體阻隔性黏著板片之使用目的而適宜選擇，並無特別限定。
    導電體層之表面電阻率，以1000Ω/□以下為佳，以200Ω/□以下更佳。
    導電體層的厚度，可考慮氣體阻隔性黏著板片的使用目的等適宜選擇。其厚度，通常為10nm至9μm，以20nm至1.0μm為佳。
    導電體層的材料，可舉金屬、合金、金屬氧化物、導電性化合物、該等的混合物等。具體而言，可舉摻雜銻之氧化錫(ATO)；摻雜氟之氧化錫(FTO)；氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)等的金屬氧化物；金、銀、鉻、鎳等的金屬；該等金屬與金屬氧化物之混合物；碘化銅、硫化銅等的無機導電性物質；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等的有機導電性材料等。
    該等之中，由透明性之點，以金屬氧化物為佳，以氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)等的氧化銦系及氧化鋅系的金屬氧化物特別佳。
    導電體層之形成方法，可舉例如蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、熱CVD法、電漿CVD法等。該等之中，可簡便地形成導電體層，以濺鍍法為佳。
    於形成導電體層，亦可以按照需要，進行形成圖案。形成圖案的方法，可舉以微影蝕刻等的化學性蝕刻、使用雷射等之物理蝕刻等、使用掩模之真空蒸鍍法或濺鍍法、舉離法、印刷法等。
    (剝離板片)
    本發明之氣體阻隔性黏著板片，亦可具有剝離板片。剝離板片，係層積於氣體阻隔性黏著板片的最外層，於保存、運送儲存氣體阻隔性黏著板片等時，作為保護黏著劑層、氣體阻隔層，或上述之其他層之作用，或直到使用氣體阻隔性黏著板片使用時之前，具有賦予支持性之作用，而於黏貼前剝離。
    本發明之氣體阻隔性黏著板片，可為單面具有剝離板片者，亦可為兩面具有第1剝離板片及第2剝離板片之2種剝離板片者。以後者時，使用2種剝離板片，使先剝離之剝離板片為較容易剝離者為佳。
    此外，如後所述，在於本發明之氣體阻隔性黏著板片之製造方法，係於形成氣體阻隔層或黏著劑層時所使用。
    剝離板片，係於紙或塑膠薄膜等的剝離基材塗佈剝離劑而設剝離劑層者。
    剝離基材，可舉亮面紙、塗層紙、優質紙等的紙基材；於該等紙基材層壓聚乙烯或聚丙烯等的熱塑性樹脂之層壓紙；對上述基材，以纖維素、澱粉、聚乙烯醇、丙烯酸-苯乙烯樹脂等進行封孔處理之紙基材；或者，聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯薄膜、聚乙烯或聚丙烯等的聚烯烴薄膜等之塑膠薄膜等。
    剝離劑，可舉包含聚乙烯、聚炳烯等的烯烴系樹脂；異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等的橡膠系彈性體；長鏈烷基系樹脂；醇酸系樹脂；氟系樹脂；矽酮系樹脂等者。
    剝離劑的厚度，並無特別限制，將剝離劑以溶液狀態塗層時，以0.02~2.0μm為佳，以0.05~1.5μm更佳。
    剝離劑的表面粗糙度Ra，以10.0nm以下為佳，以8.0nm以下更佳。此外，表面粗糙度Rt，以100nm以下為佳，以50nm以下更佳。
    表面粗糙度Ra及Rt分別超過10.0nm、100nm，則層積之氣體阻隔層及黏著劑層的表面粗糙度變大，而有使氣體阻隔性黏著板片的氣體阻隔性降低之虞。
    特別是，在於後述之氣體阻隔性黏著板片之製造方法，於剝離板片上形成氣體阻隔層及黏著劑層的步驟，由於氣體阻隔層或黏著劑層，容易轉印剝離劑的表面粗糙度，故剝離劑的表面粗糙度Ra及Rt在於上述範圍為佳。
    再者，該表面粗糙度之測定條件，與先前關於保護層之表面粗糙度鎖說明者相同。
    本發明之氣體阻隔性黏著板片，只要滿足上述條件，層積之順序、積層數並無特別限定，可如圖1(a)所示只有單面成黏著劑層面，亦可如圖1(b)所示兩面均成黏著劑層面，亦可如圖1(c)所示具有保護層。此外，亦可如圖1(d)所示，具有2層以上的氣體阻隔層或保護層。
    該等的氣體阻隔性黏著板片之中，由氣體阻隔性優良，包含2層以上的氣體阻隔層者為佳。
    圖1(a)所示之氣體阻隔性黏著板片5A，係由氣體阻隔層1、鄰接於氣體阻隔層1之黏著劑層2、鄰接於黏著劑層2的外側表面之剝離板片3a、及鄰接於氣體阻隔層1的外側表面之剝離板片3b所組成。
    圖1(b)所示之氣體阻隔性黏著板片5B，係由依序層積黏著劑層2a、氣體阻隔層1、黏著劑層2b成之層積體、鄰接黏著劑層2a的外側表面之剝離板片3a、及鄰接於黏著劑層2b的外側表面之剝離板片3b所組成。
    圖1(c)所示之氣體阻隔性黏著板片5C，係由依序層積黏著劑層2a、氣體阻隔層1、保護層4而成之層積體、鄰接於黏著劑層2a的外側表面之剝離板片3a、及鄰接於保護層4的外側表面之剝離板片3b所組成。
    圖1(d)所示之氣體阻隔性黏著板片5D，係由依序層積黏著劑層2a、保護層4a、氣體阻隔層1a、黏著劑層2b、保護層4b、氣體阻隔層1b、黏著劑層2c而成之層積體、鄰接於黏著劑層2a的外側表面之剝離板片3a、鄰接於黏著劑層2c的外側表面之剝離板片3b所組成。
    包含導電體層及保護層之氣體阻隔性黏著板片，可舉例如，具有(導電體層/氣體阻隔層/黏著劑層)、(導電體層/保護層/氣體阻隔層/黏著劑層)、(黏著劑層/保護層/氣體阻隔層/黏著劑層)、(黏著劑層/氣體阻隔層/黏著劑層/氣體阻隔層/黏著劑層)、(保護層/氣體阻隔層/黏著劑層/氣體阻隔層/黏著劑層)、(保護層/氣體阻隔層/黏著劑層/保護層/氣體阻隔層/黏著劑層)等之層構成者。
    再者，上述構成，係表示使用時之構成(去剝離板片者)。
    本發明之氣體阻隔性黏著板片，具有優良的氣體阻隔性，可由本發明的氣體阻隔性黏著板片的水蒸氣穿透率小而確認。
    水蒸氣穿透率，係於40℃、相對濕度90%的氣氛下，通常為1.0g/m2/day以下，以0.8g/m2/day以下為佳，以0.5g/m2/day以下更佳，進一步以0.1g/m2/day以下為佳。再者，水蒸氣穿透率，可使用習知的氣體穿透率測定裝置測定。
    本發明之氣體阻隔性黏著板片，即使是在彎曲、長時間放置於高溫．高濕下之後，不容易在黏著劑層與其他的層的界面剝離，此外，不容易發生股起或浮起，耐彎曲性、耐熱性、耐濕性優良。
    本發明的氣體阻隔性黏著板片，由於輕量，且氣體阻隔性優良，故經由黏著劑層，將電子元件、光學元件、飲食品及醫藥品的包裝材等作為被著體黏貼，可不損及被著體的外觀，而容易地對被著體賦予氣體阻隔性等的各種性能。因此，本發明之氣體阻隔性黏著板片，可用於作為電子元件用、光學元件用、飲食品及醫藥品的包裝材用的氣體阻隔性黏著板片。其中，可良好地使用於作為電子元件用、光學元件用，特別是，可良好地用於要求可饒性的軟性顯示器基板等的電子元件用，要求耐熱性、耐濕性之液晶顯示部件用塑膠基板等的電子元件用。
    2)氣體阻隔性黏著板片之製造方法
    製造本發明之氣體阻隔性黏著板片之方法，並無特別限制，可採用習知的方法。其中，由可有效、容易地製造氣體阻隔性黏著板片之點，使用剝離板片的方法為佳。
    本發明之氣體阻隔性黏著板片的製造方法，其特徵在於包含：於剝離板片之具有剝離性的面上，形成黏著劑層或氣體阻隔層的步驟。
    本發明之氣體阻隔性黏著板片之製造方法，具有以下的步驟1~3為佳。
    步驟1：於第1剝離板片之具有剝離性的面上，形成氣體阻隔層，得到附有氣體阻隔層之剝離板片之步驟；步驟2：第2剝離板片之具有剝離性的面上，形成黏著劑層，得到附有黏著劑層之剝離板片之步驟；步驟3：將上述附有氣體阻隔層之剝離板片，與上述附有黏著劑層之剝離板片相對黏合之步驟。
    例如，圖1(a)所示氣體阻隔性黏著板片5A，可藉由如下的步驟A1~A3而得。
    步驟A1：於第1剝離板片之剝離層面形成氣體阻隔層，得到附有氣體阻隔層之剝離板片之步驟(步驟1)；步驟A2：於第2剝離板片之剝離層面形成黏著劑層，得到附有黏著劑層之剝離板片之步驟(步驟2)；步驟A3：將附有黏著劑層之剝離板片之黏著劑層與附有氣體阻隔層之剝離板片之氣體阻隔層黏合之步驟(步驟3)。
    圖1(b)所示氣體阻隔性黏著板片5B，可藉由如下的步驟B1及B2而得。
    步驟B1：於剝離板片之剝離層面形成黏著劑層，得到附有黏著劑層之剝離板片之步驟(步驟2)；步驟B2：將上述步驟A1~A3所得之氣體阻隔性黏著板片之氣體阻隔層側的剝離板片剝離，將露出之氣體阻隔層，與步驟B1所得之附有黏著劑層之剝離板片之黏著劑層黏合之步驟(步驟1、3)。
    圖1(c)所示氣體阻隔性黏著板片5C，可藉由如下的步驟C1~C4而得。
    步驟C1：於第1剝離板片之剝離層面形成保護層，得到附有保護層之剝離板片之步驟；步驟C2：於步驟C1所得之附有保護層之保護層上，形成氣體阻隔層之步驟(步驟1)；步驟C3：於第2剝離板片之剝離層面形成黏著劑層2a，得到附有黏著劑層之剝離板片之步驟(步驟2)；步驟C4：將步驟C2形成之氣體阻隔層與於步驟C3形成之黏著劑層黏合之步驟(步驟3)。
    圖1(d)所示氣體阻隔性黏著板片5D，可藉由如下的步驟D1~D3而得。
    步驟D1：於第1剝離板片之剝離層面形成黏著劑層，得到附有黏著劑層之剝離板片之步驟(步驟2)；步驟D2：藉由上述步驟C1~C4製作2個氣體阻隔性黏著板，分別將第1氣體阻隔性黏著板之剝離板片，及第2氣體阻隔性黏著板之保護層側之剝離板片剝離，將第1氣體阻隔性黏著板之黏著劑層，與第2氣體阻隔性黏著板之保護層黏合，製作(剝離板片/保護層/氣體阻隔層/黏著劑層/保護層/氣體阻隔層/黏著劑層/剝離板片)之構成之層積體之步驟(步驟1、步驟3)；步驟D3：將步驟D2所得之層積體之保護層側之剝離板片剝離，使露出之保護層與步驟D1所得之附有黏著劑層之剝離板片之黏著劑層黏合之步驟。
    藉由使用本發明之氣體阻隔性黏著板片之製造方法，可有效地製造本發明之氣體阻隔性黏著板片。
    3)包括氣體阻隔性黏著板片之電子元件或光學元件
    本發明之電子元件及光學元件，其特徵在於：包括上述氣體阻隔性黏著板片。
    電子元件，可舉例如，液晶顯示器元件、有機EL顯示器元件、無機EL顯示器元件、電子紙元件、太陽能電池、熱電轉換元件等的軟性基板等。
    光學元件，可舉例如，光學濾光片、波長轉變裝置、調光裝置、偏光板、相位差板等之光學元件。
    本發明之電子元件及光學元件，由於經由黏著劑層層積本發明之氣體阻隔性黏著板片，故氣體阻隔性優良，可防止水蒸氣等的氣體的浸入。
    此外，本發明之電子元件及光學元件，有圖謀輕量而薄型化，且耐久性高，捲曲或彎曲時，或使用於高溫條件下或高濕條件下之情形，氣體阻隔性黏著板片並不會剝離，而不容易使氣體阻隔性降低。
    [實施例]
    以下舉實施例更加詳細地說明本發明。惟，本發明不應有任何受限於以下的實施例者。
    〔黏著劑層形成用溶液之調製〕
    以如下，調製黏著劑層形成用溶液A~H。
    使用於調製黏著劑層形成用溶液之黏著劑、架橋劑、矽烷偶合劑、光聚合起始劑如下。
    (1)黏著劑
    ．丙烯酸酯系共聚物A
    將丙烯酸正丁酯與丙烯酸，以丙烯酸正丁酯：丙烯酸(質量比)=95：5使之聚合而得之丙烯酸酯系共聚物(質量平均分子量約120萬)
    ．丙烯酸酯系共聚物B
    將丙烯酸正丁酯與丙烯酸，以丙烯酸正丁酯：丙烯酸(質量比)=95：5使之聚合而得之丙烯酸酯系共聚物(質量平均分子量約150萬)
    ．丙烯酸酯系共聚物C
    將丙烯酸正丁酯與丙烯酸，以丙烯酸正丁酯：丙烯酸(質量比)=99：1使之聚合而得之丙烯酸酯系共聚物(質量平均分子量約5萬)
    ．丙烯酸酯系共聚物D
    將丙烯酸正丁酯與丙烯酸2-羥基乙酯，以丙烯酸正丁酯：丙烯酸2-羥基乙酯(質量比)=99.9：0.1使之聚合而得之丙烯酸酯系共聚物(質量平均分子量約20萬)
    ．橡膠系黏著劑
    商品名「TN-286」，松村石油化學公司製
    ．矽酮系黏著劑
    商品名「SD-4580」、TORAY DOW CORNING公司製
    (2)架橋劑
    ．架橋劑A：三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯，商品名「CORONATE L」，日本聚氨酯工業公司製
    (3)矽烷偶合劑
    ．矽烷偶合劑A：商品名「KBM403」，信越化學工業公司製
    (4)光聚合起始劑
    ．光聚合起始劑A：商品名「IRGACURE 127」，Ciba Specialty Chemicals公司製
    ．光聚合起始劑B：商品名「IRGACURE 500」，Ciba Sbecialty Chemicals公司製的
    (5)能量線硬化型樹脂
    ．能量線硬化型樹脂A：商品名「M315」，東亞合成公司製
    ．能量線硬化型樹脂B：商品名「DPHA」，日本化藥公司製
    (1)黏著劑層形成用溶液A之調製
    對丙烯酸系共聚物A之醋酸乙酯溶液(固形濃度18%)100質量部，將架橋劑A以固形份換算以0.1質量部，及矽烷偶合劑A以0.1質量部混合，調製黏著劑層形成用溶液A。將由該黏著劑層形成用溶液A所得之黏著劑層作為「黏著劑層A」。
    (2)黏著劑層形成用溶液B之調製
    將橡膠系黏著劑100質量部，活性能量線硬化型化合物之1,6-己二醇二丙烯酸酯30質量部，光聚合起始劑A1.5質量部，及矽烷偶合季A0.1質量部，混合調製黏著劑層形成用溶液B。將由該黏著劑層形成用溶液B所得之黏著劑層作為「黏著劑層B」。
    (3)黏著劑層形成用溶液C之調製
    將矽酮系黏著劑100質量部，及白金觸媒(商品名「SRX-212」，TORAY DOW CORNING公司製)0.9質量部，混合調製黏著劑層形成用溶液C。將由該黏著劑層形成用溶液C所得之黏著劑層作為「黏著劑層C」。
    (4)黏著劑層形成用溶液D之調製
    對丙烯酸系共聚物B之醋酸乙酯溶液(固形濃度18%)100質量部，將架橋劑A以固形份換算以2質量部，及能量線硬化型樹脂A以15質量部添加，進一步，對能量線硬化型樹脂A的固形份100質量部添加2質量部的光聚合起始劑B，對丙烯酸酯系黏著劑A的固形份100質量部添加0.1質量部的矽烷偶合劑A，調製黏著劑層形成用溶液D。將由該黏著劑層形成用溶液D所得之黏著劑層作為「黏著劑層D」。
    (5)黏著劑層形成用溶液E之調製
    對丙烯酸系共聚物B之醋酸乙酯溶液(固形濃度18%)100質量部，將架橋劑A以固形份換算以2質量部，及能量線硬化型樹脂A以35質量部添加，進一步，對能量線硬化型樹脂A的固形份100質量部添加2質量部的光聚合起始劑B，對丙烯酸酯系黏著劑A的固形份100質量部添加0.1質量部的矽烷偶合劑A，調製黏著劑層形成用溶液E。將由該黏著劑層形成用溶液E所得之黏著劑層作為「黏著劑層E」。
    (6)黏著劑層形成用溶液F之調製
    對丙烯酸系共聚物B之醋酸乙酯溶液(固形濃度18%)100質量部，將丙烯酸系共聚物C以15質量部，架橋劑A以固形份換算以0.5質量部，及矽烷偶合劑A以0.1質量部添加，調製黏著劑層形成用溶液F。將由該黏著劑層形成用溶液F所得之黏著劑層作為「黏著劑層F」。
    (7)黏著劑層形成用溶液G之調製
    對丙烯酸系共聚物D之醋酸乙酯溶液(固形濃度40%)100質量部，將架橋劑A以固形份換算以0.01質量部，混合調製黏著劑層形成用溶液G。將由該黏著劑層形成用溶液G所得之黏著劑層作為「黏著劑層G」。
    (8)黏著劑層形成用溶液H之調製
    對丙烯酸系共聚物B之醋酸乙酯溶液(固形濃度18%)100質量部，將架橋劑A以固形份換算以2質量部，能量線硬化型樹脂A以30質量部，及能量線硬化型樹脂B以20質量部添加，接著，對能量線硬化型樹脂A及B的合計固形份100質量部添加2質量部的光聚合起始劑B，對丙烯酸酯系共聚物B的固形份100質量部添加0.1質量部的矽烷偶合劑A，調製黏著劑層形成用溶液H。將由該黏著劑層形成用溶液H所得之黏著劑層作為「黏著劑層H」。
    〔剝離板片〕
    剝離板片，使用如下者。
    ．剝離板片A：商品名「SP-PET381031」，LINTEC公司製(於厚度38μm之聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜之單面設剝離層而成之剝離板片)
    ．剝離板片B：商品名「SP-PFS50AL-5」，LINTEC公司製(於厚度50μm之聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜之單面設剝離層而成之剝離板片)
    〔儲存彈性模數之測定〕
    於剝離板片A的剝離層上，分別使黏著劑層形成用溶液A~H之乾燥後的膜厚成25μm地塗佈，將此乾燥形成黏著劑層，得到附有黏著劑層之剝離板片。
    再者，使用黏著劑層形成用溶液D、E、H時，藉由使用(EYEGRAPHICS公司製)，對黏著劑層形成用溶液D、E、H之乾燥塗膜，以照度200mW/cm2，光量300mJ/cm2照射紫外線(UV)，分別形成黏著劑層D、E、H。
    接著，於如上所得之附有黏著劑層之剝離板片之黏著劑層上，層積別的附有黏著劑層之剝離板片(黏著劑層係同一種)之黏著劑層。
    接著，於去除剝離板片A而露出之黏著劑層上，進一步層積別的附有黏著劑層之剝離板片(黏著劑層係同一種)之黏著劑層，藉由反覆該操作，使黏著劑層(層積體)的全體厚度為3mm之後，藉由沖出8mm ψ的圓柱狀，製作黏著劑層A~H之試驗片。
    對各試驗片，基於JIS K 7244-6，以如下測定條件，藉由扭轉剪力法測定黏著劑層A~H之儲存彈性模數。將測定結果示於第1表。
    (測定條件)
    黏彈性測定裝置：「DYNAMIC ANALYZER RDAII，TA Instruments公司製」
    頻率：1Hz
    溫度：23℃、80℃
    (實施例1)
    於剝離板片B之剝離層面，以濺鍍法，形成由厚度60nm的氮化矽所組成之氣體阻隔層(氣體阻隔層A)，得到附有氣體阻隔層A之剝離板片B。
    於剝離板片A的剝離層面，將黏著劑層形成用溶液A以凹版塗佈法塗佈，以110℃乾燥1分鐘，形成厚度約1μm的黏著劑層A，得到附有黏著劑層A之剝離板片A。
    接著，藉由將附有黏著劑層A之剝離板片A之黏著劑層A，與附有氣體阻隔層A之剝離板片B之氣體阻隔層A黏合，製作具有(剝離板片A/黏著劑層A/氣體阻隔層A/剝離板片B)之構成之氣體阻隔性黏著板片。
    (實施例2~6、比較例1、2)
    將形成黏著劑層之黏著劑層形成用溶液，使用上述黏著劑層形成用溶液B~H以外，以與實施例1同樣的方法，製作具有(剝離板片A/黏著劑層(B~H)/氣體阻隔層A/剝離板片B)之構成之氣體阻隔性黏著板片。
    再者，在於使用黏著劑層形成用溶液D、E之實施例4、5，及使用黏著劑層形成用溶液H之比較例2之氣體阻隔性黏著板片，由黏貼30秒之後，透過鄰接於黏著劑層之剝離板片，使用高壓水銀燈(EYEGRAPHICS公司製)，以照度200mW/cm2、300mJ/cm2的光量照射紫外線(UV)，得到氣體阻隔性黏著板片。
    再者，照度．光量係以UV照度．光量計(「UVPF-36」，EYEGRAPHICS公司製)測定。
    (實施例7)
    於剝離板片A的剝離層面，以凹版塗佈法塗佈黏著劑層形成用溶液A，以110℃乾燥1分鐘，形成厚度約1μm的黏著劑層A，得到附有黏著劑層A之剝離板片A。
    接著，將實施例1所製作之氣體阻隔性黏著板片之氣體阻隔層A側之剝離板片B剝離，使露出的氣體阻隔層A與附有黏著劑層A之剝離板片A之黏著劑層A黏合，製作具有(剝離板片A/黏著劑層A/氣體阻隔層A/黏著劑層A/剝離板片A)之層構成之氣體阻隔性黏著板片。
    (實施例8~12)
    改變剝離板片A側之黏著劑層及剝離板片B側之黏著劑層之黏著劑層形成用溶液以外，以與實施例7同樣的方法，製作具有第2表所記載(剝離板片A/黏著劑層/氣體阻隔層A/黏著劑層/剝離板片B)之層構成之氣體阻隔性黏著板片(於第2表中，省略剝離板片A、B之記載。)。
    再者，使用黏著劑層形成用溶液D、E時，透過剝離板片，使用高壓水銀燈(EYEGRAPHICS公司製)，以照度200mW/cm2、300mJ/cm2的光量照射紫外線(UV)，得到目標的氣體阻隔性黏著板片。
    (實施例13)
    對由紫外線硬化型多官能丙烯酸酯(商品名「KAYARAD DPHA」，日本化藥公司製)100質量部、紫外線硬化型多官能丙烯酸酯(商品名「KAYARAD DCPA」，日本化藥公司製)100質量部及2官能尿烷丙烯酸酯(商品名「UT-4692」，日本合成化學工業公司製)80質量部所組成之能量線硬化型樹脂之甲基異丁酮溶劑之混合液，以對能量線硬化型樹脂成3質量%地添加光聚合起始劑A，以甲基異丁酮稀釋成固體份厚度為15%，而調製保護層形成用溶液。
    接著，於剝離板片B的剝離層面，以凹版塗佈法塗佈上述保護層形成用溶液，將塗膜以70℃乾燥1分鐘之後，對塗佈面，以UV照射裝置(「ECX-401GX」，EYEGRAPHICS公司製)，於氧濃度1%以下的氣氛下，以照度200mW/cm2、光量300mJ/cm2照射，形成厚度1μm的保護層。
    接著，於該保護層上，以濺鍍法，形成由厚度60nm的氮化矽所組成之氣體阻隔層。
    另一方面，於剝離板片A的剝離層面，以凹版塗佈法塗佈黏著劑層形成用溶液A，將塗膜以110℃乾燥1分鐘，形成厚度約1μm的黏著劑層A。
    接著，藉由將該黏著劑層A與上述氣體阻隔層A黏合，製作具有(剝離板片A/黏著劑層A/氣體阻隔層A/保護層/剝離板片B)之層構成之氣體阻隔性黏著板片。
    (實施例14)
    取代黏著劑層形成溶液A使用黏著劑層形成用溶液D，由剝離板片側，以照度200mW/cm2、光量300mJ/cm2照射紫外線，形成黏著劑層D以外，以與實施例13同樣的方法，製作具有(剝離板片A/黏著劑層D/氣體阻隔層A/保護層/剝離板片B)之層構成之氣體阻隔性黏著板片。
    (實施例15)
    取代黏著劑層形成溶液D使用黏著劑層形成用溶液F以外，以與實施例14同樣的方法，製作具有(剝離板片A/黏著劑層F/氣體阻隔層A/保護層/剝離板片B)之層構成之氣體阻隔性黏著板片。
    (實施例16)
    於剝離板片A的剝離層面，以凹版塗佈法塗佈黏著劑層形成用溶液A，以110℃乾燥1分鐘，形成厚度約1μm的黏著劑層A，得到附有黏著劍層A之剝離板片A。
    另一方面，分別將實施例13所得之氣體阻隔性黏著板片之黏著劑層A側之剝離板片A，與實施例14所得之氣體阻隔性黏著板片之保護層側之剝離板片B剝離，將露出之黏著劑層A與保護層黏合，製作具有(剝離板片B/保護層/氣體阻隔層A/黏著劑層A/保護層/氣體阻隔層A/黏著劑層D/剝離板片A)之層構成之層積體。
    接著，將上述層積體之保護層側之剝離板片B剝離，將該保護層與上述附有黏著劑層A之剝離板片A之黏著劑層A黏合，製作具有(剝離板片A/黏著劑層A/保護層/氣體阻隔層A/黏著劑層A/保護層/氣體阻隔層A/黏著劑層D/剝離板片B)之層構成之黏著板片。
    (實施例17)
    取代實施例14所得之氣體阻隔性黏著板片，使用實施例15所得之氣體阻隔性黏著板片以外，以與實地例16同樣的方法，製作具有(剝離板片A/黏著劑層A/保護層/氣體阻隔層A/黏著劑層A/保護層/氣體阻隔層A/黏著劑層F/剝離板片B)之層構成之氣體阻隔性黏著板片。
    (實施例18)
    於剝離板片B之剝離層面，以旋轉塗佈法塗佈聚矽氮烷化合物(以全氫聚矽氮烷為主要成分之塗層材(商品名「AQAMIKA NL110-20」，CLARIANT JAPAN公司製)，以120℃加熱1分鐘，形成包含全氫聚矽氮烷之厚度60nm之層(聚矽氮烷層)。
    接著，使用電漿離子植入裝置(RF電源：型號「RF」56000，日本電子公司製；高電壓脈衝電源：「PV-3-HSHV-0835」，栗田製作所製)，以氣體流量100sccm，Duty比0.5%，施加電壓-6kV，頻率13.56MHz，施加電力1000W，腔體內壓0.2Pa，脈衝寬5 μ sec，處理時間200秒的條件，將來自氬氣(Ar)的離子植入聚矽氮烷層之表面，形成氣體阻隔層(氣體阻隔層B)，得到附有氣體阻隔層B之剝離板片B2。
    接著，藉由將附有黏著劑層A之剝離板片A，與附有氣體阻隔層B之剝離板片B2之氣體阻隔層B黏合，製作具有(剝離板片A/黏著劑層A/氣體阻隔層B/剝離板片B)之構成之氣體阻隔性黏著板片。
    (實施例19)
    使用實施例18所得之附有氣體阻隔層B之剝離板片B2之氣體阻隔層B，將附有黏著劑層A之剝離板片D，與附有氣體阻隔層B之剝離板片B2之氣體阻隔層B黏合，製作具有(剝離板片A/黏著劑層D/氣體阻隔層B/剝離板片B)之構成之氣體阻隔性黏著板片。
    將實施例1~19及比較例1、2之氣體阻隔性黏著板片之實質厚度表示於第2表。
    氣體阻隔性黏著板片之實質厚度(μm)，係以數位測長機(「DIGIMICRO MH-15M」，NIKON公司製)，測定實施例1~17及比較例1之氣體阻隔性黏著板片之黏著剝離板片之狀態的厚度(A)，之後將剝離板片剝離測定其厚度(B)，以下式算出。
    [數1]
    氣體阻隔性黏著板片的實質厚度=(A)-(B)
    將實施例1~19及比較例1、2之氣體阻隔性黏著板片之層構成(構成)，及實質厚度〔厚度(μm)]整理表示於第2表。
    〔氣體阻隔性黏著板片的評估〕
    將實施例1~6、13~15、18~19、以比較例1、2所製作之氣體阻隔性黏著板片的黏著劑層側的剝離板片剝離，於露出之黏著劑層面上，黏合作為被著體之厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(以下，稱為「PET薄膜」)之後，將另一面的剝離板片剝離。關於實施例7~12、16、17所製作之氣體阻隔性黏著板片，將任一方的剝離板片剝離，於露出之黏著劑層面上，黏合作為被著體之厚度50μm的PET薄膜。接著，將另一面的剝離板片剝離，於露出之黏著劑層面上，黏合作為被著體之厚度50μm的PET薄膜。
    接著，藉由裁切裝置(SUPER CUTTER「PN1-600」，荻野精密機械製造所公司製)，裁切成233mm×309mm的尺寸，得到樣品。
    接著，使用該樣品，進行以下的試驗，評估性能。
    (水蒸氣穿透率)
    於40℃，相對濕度90%的條件下，使用水蒸氣穿透率測定裝置(產品名「L80-5000」，LYSSY公司製)測定上述樣品之水蒸氣穿透率。將結果表示於第3表。
    (耐久性試驗)
    將關於以如下表示之條件處理之後的樣品之黏著劑層與PET薄膜之界面的狀態，以10倍率放大鏡觀察，以如下判定基準評估耐久性。
    ○：於黏著劑層的界面，完全看不到浮起、剝落等的變化。
    △：於黏著劑層的界面，可以觀察到稍微的浮起、剝落等，有些微的色澤變化。
    ×：於黏著劑層的界面，可明顯地看到浮起、剝落等。
    <處理條件>
    (1)耐熱性試驗：於80℃、相對濕度10%以下的環境下，放置200小時。
    (2)耐濕性試驗：於60℃、相對濕度95%的環境下，放置200小時。
    (3)熱衝擊試驗：以-20℃、相對濕度10%以下放置30分鐘之後，以60℃、相對濕度10%以下放置30分鐘，反覆200循環。
    (彎曲試驗)
    將樣品於中央部分折彎，以層壓速度5m/min、濕度23℃的條件通過層壓機(「LAMIPACKER LPC1502」、FUJIPLA公司製)的2支輥輪之間。接著，使用數位顯微鏡(「DIGITAL MICROSCOPE VHX VH-450，KEYENCE公司製)，將折彎中央部分(折彎的部分)之任意處，以450倍的倍率觀察。以如下的評估判斷基準進行判定。
    ◎：完全沒有觀察到細微裂紋
    ○：雖觀察不到細微裂紋，可觀察到些微的色調變化。
    ×：可以觀察到寬、長5μm以上的細微裂紋。
    將評估結果，整理示於下述第3表。
    由第3圖，可知在於23℃之儲存彈性模數，在1.5×104~1.0×107Pa的範圍的黏著劑層的實施例1~19之氣體阻隔性黏著板片，係具有於23℃及80℃的儲存彈性模數在既定範圍外的黏著劑層者，較比較例1、2的氣體阻隔性黏著板片，耐熱性、耐高溫濕熱性、耐彎曲性及耐久性優良。
    具有2層氣體阻隔層之實施例16及17之氣體阻隔性黏著板片，及具有對高分子化合物植入離子而得之氣體阻隔層之實施例18、19之氣體阻隔性黏著板片，氣體阻隔性特別優良。
    1、1a、1b‧‧‧氣體阻隔層
    2、2a、2b、2c‧‧‧黏著劑層
    3a、3b‧‧‧剝離板片
    4、4a、4b‧‧‧保護層
    5A、5B、5C、5D‧‧‧氣體阻隔性黏著板片
    圖1(a)~(d)係表示本發明之氣體阻隔性黏著板片之一例之剖面圖。
    1、1a、1b‧‧‧氣體阻隔層
    2、2a、2b、2c‧‧‧黏著劑層
    3a、3b‧‧‧剝離板片
    4、4a、4b‧‧‧保護層
    5A、5B、5C、5D‧‧‧氣體阻隔性黏著板片
    权利要求:
    Claims (11)
    [1] 一種氣體阻隔性黏著板片，分別至少具有1層氣體阻隔層及黏著劑層，其特徵在於：上述黏著劑層在23℃的儲存彈性模數在1.5×104~1.0×107Pa的範圍，且不具有基材層。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述的氣體阻隔性黏著板片，其中在40℃、相對濕度90%的氣氛下的水蒸氣穿透率為0.1g/m2/day以下。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述的氣體阻隔性黏著板片，其中上述黏著劑層在於80℃的儲存彈性模數在8.0×103~1.0×106Pa的範圍。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述的氣體阻隔性黏著板片，其中實質厚度為0.5μm以上50μm以下。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述的氣體阻隔性黏著板片，其中上述黏著劑層係由包含矽烷偶合劑或烷氧基金屬化合物之黏著劑所形成。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述的氣體阻隔性黏著板片，其中進一步具有保護層。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述的氣體阻隔性黏著板片，其中進一步具有剝離板片。
    [8] 如申請專利範圍第1項所述的氣體阻隔性黏著板片，其係電子元件用或光學元件用的黏著板片。
    [9] 一種體阻隔性黏著板片之製造方法，製造申請專利範圍第1至8項中任一項所述的氣體阻隔性黏著板片，其包含：於剝離板片之具有剝離性的面上，形成黏著劑層或氣體阻隔層的步驟。
    [10] 一種體阻隔性黏著板片之製造方法，製造申請專利範圍第1至8項中任一項所述的氣體阻隔性黏著板片，其包含以下的步驟1~3：步驟1：於第1剝離板片之具有剝離性的面上，形成氣體阻隔層，得到附有氣體阻隔層之剝離板片之步驟；步驟2：於第2剝離板片之具有剝離性的面上，形成黏著劑層，得到附有黏著劑層之剝離板片之步驟；步驟3：將上述附有氣體阻隔層之剝離板片，與上述附有黏著劑層之剝離板片相對黏合之步驟。
    [11] 一種電子元件或光學元件，包括上述申請專利範圍第1至8項中任一項所述的氣體阻隔性黏著板片。
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